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        各種存儲器比較(PCM,STT RAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

        2017-02-07 14:00:33來源:中存儲
        導讀: 各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD),看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢
        各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)各種存儲器比較(PCM,STTRAM,SRAM,DRAM,Flash NAND,HDD)

        綜合起來可以看出憶阻器在集成密度,數據的讀寫時間有著比較明顯的優勢,

        Endurance:代表器件最大的擦寫次數;

        STTRAM:自旋扭矩轉換隨機存儲器,物理機制是磁致阻變效應;

        SRAM:靜態隨機存儲器,主要用來制造CPU與主板之間的緩存。

        • 優點是速度快(可以看到這種存儲器的讀寫速度是最快的);
        • 缺點是集成密度低,掉電不能保存數據。

        DRAM:動態隨機存儲器,用途主要在內存上。憶阻器的大部分參數可以和DRAM相比,也可以用來制造內存。

        Flash(NAND):閃存。用途:固態硬盤,便攜式存儲器。

        HDD:硬盤。

        • 優點是價格低廉(這種存儲器的單位容量所需要的價格是最低的,
        • 缺點也是顯而易見的,讀寫速度比其他存儲器低很多數量級。

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        關鍵詞 :
        存儲器SRAMSTT RAM
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